Home
->  4月開催 電気系セミナー  5月開催 電気系セミナー 

【Live配信セミナー】
自動車電動化へのSiC/GaNパワーデバイスの最新開発状況と普及予測、課題

4月開催 電気系セミナー  更新日:2021年3月 1日
 セミナー番号【105401】5/10 講師1名
★SiC/GaNデバイスの普及のポイントは何か?シリコンデバイスとの比較から今後の展望を解説

【Live配信セミナー】
自動車電動化へのSiC/GaNパワーデバイスの最新開発状況と普及予測、課題


■ 講師
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 氏

富士電機株式会社に入社後、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所.SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事.
2013年4月~ 国立大学法人筑波大学 教授.現在に至る.

■ 開催要領
日 時 : 2021年5月10日(月) 10:30~16:30
会 場 : ZOOMを利用したLive配信 ※会場での講義は行いません
聴講料 : 1名につき55,000円(消費税込・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕

■ Live配信セミナーの受講について
・本講座はZoomを利用したLive配信セミナーです。セミナー会場での受講はできません。

・下記リンクから視聴環境を確認の上、お申し込みください。
 → https://zoom.us/test

・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
 セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。

・Zoomクライアントは最新版にアップデートして使用してください。
 Webブラウザから視聴する場合は、Google Chrome、Firefox、Microsoft Edgeをご利用ください。

・パソコンの他にタブレット、スマートフォンでも視聴できます。

・セミナー資料はお申込み時にお知らせいただいた住所へお送りいたします。
 お申込みが直前の場合には、開催日までに資料の到着が間に合わないことがあります。ご了承ください。

・当日は講師への質問することができます。可能な範囲で個別質問にも対応いたします。

・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。

・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。

・Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
 万が一部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。


プログラム

【本講座で学べること】
・パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向
・シリコンIGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
・パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測
・シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
・SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術
など


【講座概要】
2020年、コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは全く不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。最近ではカリフォルニア州が2035年までに州内でのガソリン車の新車販売を禁止するとの発表をするなど、EVシフト化への要求は極めて大きい。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

1.パワーエレクトロニクスとは?
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 高周波動作のメリットは
 1.5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1.6 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2.最新シリコンIGBTの進展
 2.1 現在、そして10年後のパワー半導体の市場予測
 2.2 シリコンIGBTの今
 2.3 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
 2.4 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
 2.5 IGBTの進展を支える実装技術の進展

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 SiCのシリコンに対する利点
 3.4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3.5 SiCウェハができるまで
 3.6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.7 SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
 3.8 なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
 3.9 SiC-MOSFET作成プロセス
 3.10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3.11 最新SiC-MOSFET開発動向

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイス構造は"横型GaN on Si"が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
 4.3 GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
 4.4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.5 Current Collapse現象メカニズム
 4.6 最新GaN-HEMT開発動向
 4.7 縦型GaNデバイスの最新動向

5.高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
 5.3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6.まとめ


【質疑応答】