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ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

9月開催 電気系セミナー  更新日:2019年8月 1日
 セミナー番号【910413】10/21 講師1名
★社会背景や、他の半導体と比較した際の特徴などから、開発の動向と今後の可能性を探る!

ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性


■ 講師
  金沢大学 ナノマテリアル研究所 教授(リサーチプロフェッサー) 博士(工学) 徳田 規夫 氏
■ 開催要領
日 時 :
2019年10月21日(月) 10:00~17:00

会 場 : [東京・五反田]技術情報協会 セミナールーム
聴講料 :
1名につき50,000円(消費税抜き・昼食・資料付き) 
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき45,000円(税抜)〕

※定員になり次第、お申込みは締切となります。


プログラム

【講演ポイント】
 ダイヤモンドは、その見た目の美しさから宝石としてはもちろんのこと、物質中最高の硬度や熱伝導率を有することから切削工具やヒートシンクとしても広く知られており、近年では航空機等にも用いられている炭素繊維強化プラスチック(CFRP)用の加工工具やパワーデバイス用のヒートスプレッダ/ヒートシンク材として期待されている。一方で、ダイヤモンドは絶縁破壊電界やキャリア移動度も極めて高いことから、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料であり、日本やフランス、ドイツ、アメリカを中心にパワーデバイス応用・社会実装に向けた研究が行われている。今回、ダイヤモンドパワーデバイスに関して、昨今の研究開発状況・課題について、また、我々が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについても合わせて紹介する。

 
1.ダイヤモンドの魅力と必要性

2.ダイヤモンド半導体研究の歴史と最近の動向

3.ダイヤモンドウェハに関する研究開発動向
 3-1 成長技術
  3-1-1 高温高圧合成
  3-1-2 プラズマCVD
  3-1-3 熱フィラメントCV
 3-2 不純物ドーピング技術
 3-3 加工技術
  3-3-1 エッチング
  3-3-2 研磨、カット、スライス

4.ダイヤモンドダイオードに関する研究開発動向
 4-1 金属と半導体ダイヤモンドの接触
 4-2 SBD
 4-3 PND(PIND)
 4-4 Shottky-PND(SPND)

5.ダイヤモンドトランジスタに関する研究開発動向
 5-1 BJT
 5-2 JFET
 5-3 MESFET
 5-4 MOSFET
  5-4-1 表面伝導層チャネルMOSFET
  5-4-2 Deep Depletion MOSFET
  5-4-3 反転層チャネルMOSFET

6.その他のダイヤモンドデバイスに関する研究開発動向
 6-1 量子デバイス・センサ
 6-2 真空スイッチ
 6-3 その他
【質疑応答・名刺交換】