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原子層エッチングの原理、プロセス最適化と微細加工技術

3月開催 電気系セミナー  更新日:2018年2月 2日
 セミナー番号【803403】3/26 講師3名
★メカニズムから最先端の原子層エッチング開発事例まで、第一線の講師陣が解説!

原子層エッチングの原理、プロセス最適化と微細加工技術


※受付は終了しております。

■ 講師
1. 東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 博士(工学) 霜垣 幸浩 氏
2. (株)日立製作所 研究開発グループ エレクトロニクスイノベーションセンタ ナノプロセス研究部 主任研究員 篠田 和典 氏
3. 兵庫県立大学 大学院工学研究科 電子情報工学専攻 准教授 博士(工学) 豊田 紀章 氏
■ 開催要領
日 時 : 平成30年3月26日(月) 10:30~16:30
会 場 : [東京・五反田]技術情報協会 セミナールーム
聴講料 : 1名につき55,000円(消費税抜き・昼食・資料付き) 
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき50,000円(税抜)〕


プログラム

<10:30~12:30>
1.原子層エッチングのメカニズムとプロセスの最適化

東京大学 霜垣 幸浩 氏

 
・ALD/ALEプロセスの原理、反応機構
・ALD/ALEプロセスの最適化
・ALEの応用展開

※詳細項目は後日更新いたします。


【質疑応答・個別質問・名刺交換】
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<13:15~14:45>

2.プラズマを用いた原子層エッチングと表面反応制御

(株)日立製作所 篠田 和典 氏
 
【講座概要】
原子層エッチングは、次世代の微細な三次元構造を持つ半導体集積回路を開発、製造する際に必要となる技術である。モノのインターネット(IoT)の普及により、データ処理を担う半導体集積回路の微細化/三次元化は益々進んでおり、最小加工寸法が10ナノメートルを切る今後の半導体製造プロセスには、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められている。本講座では、プラズマを用いた原子層エッチング技術について、半導体デバイスのトレンドからエッチング反応の原理、表面原子層反応の制御、エッチング装置、そして最先端の原子層エッチング開発事例までを、メーカのエッチング技術開発の現場にいる講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

1.背景
 1.1 半導体デバイスのトレンド
 1.2 半導体製造プロセスにおけるエッチング

2.プラズマエッチングの技術動向
 2.1 プラズマエッチングの基礎
 2.2 プラズマエッチングの歴史
 2.3 先端デバイスエッチングの課題

3.プラズマを用いた原子層エッチング
 3.1 原子層エッチングプロセス
 3.2 プラズマ照射した窒化膜表面の分析
 3.3 SiNおよびTiNの原子層エッチング

4.まとめ


【質疑応答・個別質問・名刺交換】
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<15:00~16:30>

3.ガスクラスターイオンビームによる原子層エッチングとその加工特性

兵庫県立大学 豊田 紀章 氏
 
【講座概要】
近年、デバイスの微細化に伴い、原子層エッチングが再び注目されている。超低エネルギーかつ高密度のエネルギーを表面に付与するガスクラスターイオンビーム(GCIB)は、単原子・分子では実現できない特有の照射効果を示すが、この特有の照射効果を、表面に吸着した分子との反応促進や脱離効果に用いることにより、低温かつ低損傷での原子層エッチングが可能となる。本講座では、GCIBを利用した難加工材料の原子層エッチングやその原理・応用について紹介する。

1.技術的背景

2.イオンと固体との相互作用
 2.1 イオンの固体中での振る舞い
 2.2 イオン衝突の計算機シミュレーション
 2.3 分子イオン衝突による非線形照射効果

3.ガスクラスターイオンビームの特徴と応用
 3.1 中性クラスタービームの発生
 3.2 ガスクラスターイオンビーム装置
 3.3 ガスクラスターイオン特有の照射効果
  ・高密度エネルギー付与
  ・低損傷表面加工
  ・表面平坦化
  ・表面反応促進効果
  ・高効率スパッタ効果
 3.4 表面ナノ加工への応用例

4.ガスクラスターイオンビームによる原子層エッチング
 4.1 雰囲気ガス中GCIB照射による反応性エッチング
 4.2 ガスクラスターイオンビームによる原子層エッチング
 4.3 表面反応機構と応用例

5.まとめ


【質疑応答・個別質問・名刺交換】